IRFSL4510

IRFSL4510

采用 TO-262 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFSL4510
IRFSL4510


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    61 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    18 nC
  • QG (typ @10V)
    58 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    13.9 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.05 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区