IRFSL7762

采用 TO-262 封装的 75V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFSL7762
IRFSL7762
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    85 A
  • 最高 ID
    60 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    60 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG
    85 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.7 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    6.7 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.05 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 增强了门极、雪崩和动态 dV/dt 的耐用性
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 增强型体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • StrongIRFET ™

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }