IRFSL7762

采用 TO-262 封装的 75V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFSL7762
IRFSL7762

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    85 A
  • ID max
    60 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    60 A
  • Ptot max
    140 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG
    85 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.7 mΩ
  • RDS (on) max
    6.7 mΩ
  • RthJC max
    1.05 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    75 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    I2PAK (TO-262)
  • Polarity
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 增强了门极、雪崩和动态 dV/dt 的耐用性
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 增强型体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
  • 无铅,符合 RoHS 标准
  • StrongIRFET ™

应用

文档

设计资源

开发者社区

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