IRFSL7762

IRFSL7762

采用 TO-262 封装的 75V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFSL7762
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    85 A
  • 最高 ID
    60 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    60 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG
    85 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.7 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    6.7 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.05 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 增强了门极、雪崩和动态 dV/dt 的耐用性
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 增强型体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • StrongIRFET ™

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区