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IRFZ44E
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFZ44E

停产
采用 TO-220 封装的 60V 单 N 沟道功率 MOSFET
封装

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IRFZ44E
IRFZ44E

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    48 A
  • 最高 Ptot
    110 W
  • Qgd
    15.3 nC
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    23 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.44
OPN
IRFZ44EPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强坚固性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质
  • 低频应用中的高性能
  • 直接替换现有设备
  • 高电流能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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