IRH7250SCS
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IRH7250SCS

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封装

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IRH7250SCS
IRH7250SCS
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    16 A
  • 最高 ID (@25°C)
    26 A
  • QG
    170 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    110 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-204AE
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO204-3
封装名 TO-204AA (TO-3)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO204-3
封装名 TO-204AA (TO-3)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRH7250SCS 是一款 200V、26A 抗辐射 N 沟道 MOSFET，其 SEE 抗辐射强度高达 100krad TID。该航天级设备采用 MIL-PRF-19500 生产线封装，密封在 TO-204AE 中。其低 RDS(on) 和低栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。事实证明，QIRL 设备是卫星平台和有效载荷空间电源系统设计的首选。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区