IRHC597Z30CDV
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRHC597Z30CDV

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IRHC597Z30CDV
IRHC597Z30CDV


商品详情

  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 产品组
    Rad hard power MOSFET
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 系列
    Rad hard power MOSFET
  • 芯片尺寸
    6

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHC597Z30CDV 是采用裸片封装的 30V 抗辐射 MOSFET。该R5代器件的电气性能高达100kRad(Si)，并经过100%的芯片目视检查。

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