现货，推荐
符合RoHS标准

IRHC7250SECDV

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IRHC7250SECDV
IRHC7250SECDV

商品详情

  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    200 V
  • Product Group
    Rad hard power MOSFET
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    3
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHC7250SECDV 是采用裸片封装的 200V 抗辐射 MOSFET。该 R4 代器件具有 SEE 耐受性，电气性能高达 100 kRad(Si)，并且通过了 100% 的芯片目视检查。

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