IRHE7230
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IRHE7230

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IRHE7230
IRHE7230
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    3.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.5 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7262U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    350 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
英飞凌的 R4 N 沟道抗辐射 MOSFET 采用 200V、5.5A、单封装设计，提供极致的空间性能。IRHE7230 采用 18 引脚 LCC 封装，额定 TID 为 100krad(Si)，非常适合 DC-DC 转换器、电机控制和其他开关应用。MOSFET 提供电压控制、快速开关和电气参数的温度稳定性，以实现一流的性能和可靠性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区