IRHE9110
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IRHE9110

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IRHE9110
IRHE9110
  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    -1.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -2.3 A
  • QG
    16 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1100 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -2.6 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHE9110 是一款 R4、抗辐射、-100V、-2.3A 单 P 通道 MOSFET,采用 18 针 LCC 封装。其抗辐射设计和高达 100krad(Si) TID 的电气性能使其成为空间应用的理想选择。除了其低栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗外,它还保留了 MOSFET 的优点,例如电压控制和快速开关。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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