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IRHE9130

数据手册
封装

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IRHE9130
IRHE9130
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    -4.1 A
  • ID (@25°C) max
    -6.5 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7389U
  • RDS (on) (@25°C) max
    300 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHE9130 是一款 R4、抗辐射、-100V、-6.5A、单个 P 通道 MOSFET，采用 18 针 LCC 封装。其抗辐射设计和高达 100krad(Si) TID 的电气性能使其成为空间应用的可靠选择。除了其低栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗外，它还保留了 MOSFET 的优点，例如电压控制和快速开关。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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