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IRHF57214SE

数据手册
封装

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IRHF57214SE
IRHF57214SE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    1.4 A
  • ID (@25°C) max
    2.2 A
  • QG
    15.7 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1550 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF57214SE 是单抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 250V，额定电流为 2.2A。R5 代，采用密封 TO-205AF 封装。由于 RDS(on) 和栅极电荷较低，DC-DC 转换器和电机控制应用中的功率损耗得以降低。它保留了 MOSFET 的优点，并具有总剂量和单粒子效应的特点。

应用

文档

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设计资源

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