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IRHF597110

数据手册
封装

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IRHF597110
IRHF597110
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1A
  • ID (@100°C) max
    -1.6 A
  • ID (@25°C) max
    -2.6 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1000 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    P
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF597110 是一款 R5、抗辐射、-100V、-2.6A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-205AF 封装。它具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制器中的功率损耗。这些 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID，可靠地适用于空间应用，同时保留了 MOSFET 的优势，例如电压控制和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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