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IRHF597230

数据手册
封装

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IRHF597230
IRHF597230
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    -3 A
  • ID (@25°C) max
    -4.5 A
  • QG
    40 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    540 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF597230 是一款 R5、抗辐射、-200V、-4.5A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-205AF 封装，电气性能高达 100krad (Si) TID，SEE 高达 80 MeV 的 LET。其低 RDS(on) 和低总栅极电荷使其即使在恶劣的空间环境中也能可靠地用于具有电压控制、快速开关和温度稳定性的开关应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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