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IRHF67234

数据手册
封装

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IRHF67234
IRHF67234
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    9.5 A
  • QG
    51 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    250 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF67234 R6 N 沟道 MOSFET 是一种用于空间应用的抗辐射设备。其额定电压为 250V，额定电流为 9.5A，可提供高性能以及低 RDS(on) 和栅极电荷。它在高达 100krad(Si) TID 的电气稳定性以及 COTS 分类使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择。90 MeV·cm2/mg 的 LET 为单粒子效应提供了高性能。

应用

文档

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