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IRHF67234SCS

数据手册
封装

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IRHF67234SCS
IRHF67234SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    9.5 A
  • QG
    51 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    250 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF67234SCS R6 N 沟道 MOSFET 符合航天标准，额定电压为 250V，额定电流为 9.5A。该单 N 沟道设计采用 TO-205AF 封装。特征为总剂量和 SEE，LET 为 90 MeV·cm2/mg。这些 MOSFET 提供高功率开关、低 RDS(on) 和栅极电荷。非常适合具有电压控制、快速切换和电气参数温度稳定性的空间应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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