IRHF67234SCS
现货，推荐

IRHF67234SCS

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHF67234SCS
IRHF67234SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    6 A
  • 最高 ID (@25°C)
    9.5 A
  • QG
    51 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    250 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHF67234SCS R6 N 沟道 MOSFET 符合航天标准，额定电压为 250V，额定电流为 9.5A。该单 N 沟道设计采用 TO-205AF 封装。特征为总剂量和 SEE，LET 为 90 MeV·cm2/mg。这些 MOSFET 提供高功率开关、低 RDS(on) 和栅极电荷。非常适合具有电压控制、快速切换和电气参数温度稳定性的空间应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区