IRHF6S7230

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IRHF6S7230
IRHF6S7230

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    5.7 A
  • ID (@25°C) max
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    145 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHF6S7230 R6 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件,额定电压为 200V,额定电流为 9.1A,适用于空间应用。它采用 TO-205AF 封装和 COTS 分类,可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能,非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。低 RDS(on) 和栅极电荷可实现低功耗。90 MeV·cm2/mg 的 LET 可在恶劣环境下提供有用的性能。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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