IRHF7110SCS
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IRHF7110SCS

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IRHF7110SCS
IRHF7110SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    2.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    600 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
采用 R4 技术的 IRHF7110SCS 提供采用 TO-205AF 封装的高性能、抗辐射 N 沟道 MOSFET。该器件额定电压为 200V，栅极阈值为 3.5V，非常适合空间应用，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关过程中的功率损耗。其电性能特点是TID高达100krad(Si)，LET高达90MeV·cm2/mg，同时保留了MOSFET的优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区