IRHF7430SESCS

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IRHF7430SESCS
IRHF7430SESCS


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    1.6 A
  • 最高 ID (@25°C)
    2.6 A
  • QG
    30 nC
  • QPL部件号
    2N7464T2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1650 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    QIRL

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHF7430SESCS N 沟道 MOSFET 是单个抗辐射器件，额定电压为 500V，栅极电压为 2.6V。它采用 TO-205AF 封装，具有总剂量和单粒子效应 (SEE) 的特点，有用性能高达 90MeV·cm2/mg 的 LET。由于具有 RDS(on) 和低栅极电荷，这些器件非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。该 COTS 器件的电气性能高达 100krad(Si) TID。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区