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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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IRHF7430SESCS
商品详情
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ESD ClassClass 1C
-
ID (@100°C) max1.6 A
-
ID (@25°C) max2.6 A
-
QG30 nC
-
QPL Part Number2N7464T2
-
RDS (on) (@25°C) max1650 mΩ
-
SEEYes
-
TID max100 Krad(Si)
-
VBRDSS min500 V
-
VF max1.2 V
-
Product CategoryRad hard MOSFETS
-
Optional TID Rating (kRad(si))100
-
PackageTO-205AF
-
PolarityN
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GenerationR4
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Voltage Class100 V
-
Die Size3
-
QualificationQIRL
-
LanguageSPICE
-
ConfigurationDiscrete
|
OPN
|
|---|
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| 封装名 |
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| 包装类型 |
| 湿度 |
| 防潮包装 |
| 无铅 |
| 无卤素 |
| 符合RoHS标准 |
|
Infineon stock last updated:
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IRHF7430SESCS N 沟道 MOSFET 是单个抗辐射器件，额定电压为 500V，栅极电压为 2.6V。它采用 TO-205AF 封装，具有总剂量和单粒子效应 (SEE) 的特点，有用性能高达 90MeV·cm2/mg 的 LET。由于具有 RDS(on) 和低栅极电荷，这些器件非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。该 COTS 器件的电气性能高达 100krad(Si) TID。