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IRHLF770Z4SCS

数据手册
封装

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IRHLF770Z4SCS
IRHLF770Z4SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • ID (@100°C) max
    1 A
  • ID (@25°C) max
    1.6 A
  • QG
    2.6 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    500 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLF770Z4SCS N 沟道 MOSFET 是一款单抗辐射器件，额定电压为 60V，电流为 1.6A。采用 TO-205AF 封装，这款符合太空要求的 QIRL 部件可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择，可提供电压控制、快速切换和温度稳定性。LET性能高达90MeV·cm2/mg。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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