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IRHLF7S7214

数据手册
封装

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IRHLF7S7214
IRHLF7S7214
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@25°C) max
    3.3 A
  • ID (@100°C) max
    2.1 A
  • QG
    18 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1000 mΩ
  • SEE
    100 MeV∙cm2/mg
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Generation
    R7
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-205AF 封装的 IRHLF7S7214 是一款抗辐射、200V、3.3A R7 N 沟道 MOSFET，电气性能高达 100krad(Si) TID，适合在太空和其他辐射环境中使用。该 COTS 器件可抵抗单粒子栅极破裂和烧毁，同时保持阈值电压的可接受工作限值。非常适合与逻辑门、线性 IC 和微控制器连接。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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