IRHLF7S7214SCS
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IRHLF7S7214SCS

数据手册
封装

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IRHLF7S7214SCS
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.3 A
  • QG
    18 nC
  • QPL部件号
    2N7610T2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1000 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLF7S7214SCS R7 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射设备，额定电压为 200V，额定电流为 3.3A。其电气性能高达 100krad (Si) TID 和 QIRL 分类，非常适合将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到辐射环境中的电源设备。它可将阈值电压保持在温度和辐射的限制范围内，同时保持对单事件栅极破裂和烧毁的免疫力。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区