IRHLG7S7110

数据手册

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IRHLG7S7110
IRHLG7S7110
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (N-CH @100°C) max
    1.1 A
  • ID (N-CH @25°C) max
    1.8 A
  • QPL Part Number
    2N7612M1
  • RDS (on) (N-CH @25°C) max
    330 mΩ
  • VBRDSS min
    100 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    300
  • Package
    MO-036AB
  • Polarity
    N
  • Generation
    R7
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Quad
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHLG7S7110 是采用 MO-036AB 封装的 R7、抗辐射、100V 四 N 沟道 MOSFET。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点，可靠地适用于太空应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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