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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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IRHLNJ73034SCS
商品详情
-
ESD等级Class 1B
-
ID (@100°C) max20 A
-
ID (@25°C) max22 A
-
QG34 nC
-
QPL部件号2N7606U3
-
RDS (on) (@25°C) max35 mΩ
-
TID max300 Krad(Si)
-
VBRDSS60 V
-
VF max1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装SMD-0.5
-
极性N
-
生成R7
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准QIRL
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
| 产品状态 | active and preferred | |
| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | SMD-0.5 Metal Lid | |
| 包装尺寸 | N/A | |
| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
| 防潮包装 | N/A | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-0.5 Metal Lid |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
采用 SMD-0.5 封装的 IRHLNJ73034SCS N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个器件，额定电压为 60V，额定电流为 22A。其电气性能高达 300krad(Si) TID，并符合 QIRL 的空间应用要求。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。MOSFET 还提供电压控制、快速开关和电气参数的温度稳定性。