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IRHLNM7S7110SCS
商品详情
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ESD等级Class 1B
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ID (@100°C) max4.1 A
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QG11 nC
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RDS (on) (@25°C) max290 mΩ
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SEEYes
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS100 V
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VF max1.4 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
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封装SMD-0.2
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极性N
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生成R7
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IRHLNM7S7110SCS 是一款抗辐射、单 R7 N 沟道 MOSFET，采用 SMD-0.2 封装，额定电压为 250V，容量为 6.5A。其电气性能高达100krad(Si) TID，非常适合空间应用。由于具有单粒子门破裂和烧毁免疫力，它是将 CMOS 和 TTL 控制电路与功率器件接口的可靠解决方案。QIRL 符合太空标准，专为辐射环境而设计。