IRHLNS87Y50
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IRHLNS87Y50

数据手册
封装

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IRHLNS87Y50
IRHLNS87Y50
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    75 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    130 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    2.5 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • 最高 VF
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHLNS87Y50 是采用 SupIR-SMD 封装的抗辐射 N 沟道 R8 COTS MOSFET。它的容量为 20V、75A，可承受高达 100krad（Si）TID。它具有单粒子门破裂和烧毁免疫力，使其成为与逻辑门、线性 IC 和微控制器接口的理想选择。它还可用于增加 PWM、电压比较器或运算放大器的输出电流。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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