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IRHLUBN770Z4SCS
商品详情
-
ESD等级Class 0
-
ID (@100°C) max0.5 A
-
ID (@25°C) max0.8 A
-
QG3.6 nC
-
QPL部件号2N7616UB
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RDS (on) (@25°C) max680 mΩ
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS min60 V
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VF max1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装UB
-
极性N
-
生成R7
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电压等级100 V, 100 V
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芯片尺寸Z
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IRHLUBN770Z4SCS 是一款抗辐射单 N 沟道器件，额定电压为 60V，额定电流为 0.8A。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad (Si) TID 和 QIRL 分类，非常适合将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到辐射环境中的电源设备。该设备在使用 3.3-5V 电源与大多数逻辑门、线性 IC 和微控制器连接时，保持单粒子门破裂和烧毁免疫力。