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IRHMB57064

数据手册
封装

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IRHMB57064
IRHMB57064
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    160 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    6 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMB57064 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个器件，额定电压为 60V，电流为 45A。它采用 R5 技术，具有 TO-254AA 无凸缘低欧姆封装，性能高达 100krad(Si) TID。凭借低 RDS(on) 和栅极电荷，这些 MOSFET 可降低 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。它们保留了 MOSFET 的所有既有优点，例如快速开关和电压控制。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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