IRHMB57260SESCS
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IRHMB57260SESCS

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IRHMB57260SESCS
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    29 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    165 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    44 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMB57260SESCS 是一款采用 R5 技术的抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 60V，额定电流为 45A。它采用 TO-254AA 无凸缘低欧姆封装，电气性能高达 100krad(Si) TID、QIRL 分类。该器件具有低 RDS(on)、低栅极电荷、电压控制、快速开关、易于并联和温度稳定性。非常适合电机控制和 DC-DC 转换器。

应用

文档

设计资源

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