IRHMB6S7160SCS

数据手册

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IRHMB6S7160SCS
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数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    11 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
这款抗辐射 N 沟道 MOSFET 采用 R6 技术，额定电压为 100V，额定电流为 45A。它采用 TO-254AA 无凸缘低欧姆封装，电气性能高达 100krad(Si) TID、QIRL 分类。该器件具有低 RDS(on)、低栅极电荷、电压控制、快速开关和温度稳定性，非常适合电机控制和 DC-DC 转换器。SEE性能高达LET 60 MeV·cm2/mg。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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