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32-bit FM Arm® Cortex® Microcontroller
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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IRHMB6S7260
商品详情
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ESD ClassClass 3A
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QG240 nC
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SEE100 MeV∙cm2/mg
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IRHMB6S7260 是采用 R6 技术的抗辐射 N 沟道 MOSFET。该单个 MOSFET 的最大电压为 200V，可处理高达 35A 的电流。TO-254AA 无凸缘低欧姆封装具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad（Si）TID 等级，非常适合太空应用