IRHMK597160
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IRHMK597160

数据手册
封装

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IRHMK597160
IRHMK597160
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -30 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -45 A
  • QG
    170 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    50 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Tabless SMD
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHMK597160 是一款 R5、抗辐射、-100V、-45A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-254AA 无平板 SMD 封装。这些 MOSFET 的电气性能高达 100krad (Si)，可降低开关应用中的功率损耗，并且总剂量和单粒子效应 (SEE) 特性高达 80 (MeV/(mg/cm2)) 的 LET。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它们保留了 MOSFET 在空间应用方面的所有优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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