IRHMS67164SCS

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IRHMS67164SCS
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商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    44 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7582T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    19 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    150 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    QIRL

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHMS67164SCS 是一款单抗辐射 N 沟道 MOSFET，专为空间应用而设计，额定电压为 150V，额定电流为 45A。其 TO-254AA 低欧姆封装和 R6 技术可提供卓越的功率并提高对单粒子效应 (SEE) 的免疫力，LET 高达 85 MeV·cm2/mg。该器件具有低 RDS(on) 和快速开关时间，非常适合 DC-DC 转换器和电机驱动器。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区