IRHMS67164SCSA

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMS67164SCSA
IRHMS67164SCSA
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    44 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    230 C
  • QPL Part Number
    2N7582T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    19 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMS67164SCSA N 沟道 MOSFET 是一款航天级 MOSFET，额定电压为 150V，额定电流为 45A。其 TO-254AA 低欧姆封装和引线朝下设计，结合 IR HiRel R6 技术，可提供卓越的功率并增强对单粒子效应 (SEE) 的免疫力，LET 高达 85 MeV·cm2/mg。该硬器件具有低 RDS(on) 和快速开关时间，使其成为 DC-DC 转换器和电机驱动器的理想选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }