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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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微控制器
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IRHMS67164SCV
商品详情
-
ESD等级Class 3A
-
最高 ID (@100°C)44 A
-
最高 ID (@25°C)45 A
-
QG230 nC
-
QPL部件号2N7582T1
-
最高 RDS (on) (@25°C)19 mΩ
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最高 TID100 Krad(Si)
-
VBRDSS150 V
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最高 VF1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装TO-254AA Low Ohmic
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极性N
-
生成R6
-
电压等级100 V
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芯片尺寸6
-
认证标准QIRL
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语言SPICE
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IRHMS67164SCV R6 N 沟道 MOSFET 是一款 150V、45A 抗辐射器件，电气性能高达 100krad TID，其特点是总剂量和单粒子效应。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制器中的功率损耗。它提供电压控制、快速切换和温度稳定性。非常适合计算应用。
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