IRHN57250SESCS
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IRHN57250SESCS

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封装

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IRHN57250SESCS
IRHN57250SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    19 A
  • 最高 ID (@25°C)
    31 A
  • QG
    132 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    60 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-1
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHN57250SESCS R5 N 沟道 MOSFET 是一款适用于空间应用的 200V、31A 抗辐射设备。它具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低功率损耗并保持既有的 MOSFET 优势，例如电压控制、快速开关和温度稳定性。其 SEE 特性高达 LET 80 MeV·cm2/mg，符合 QIRL 分类，采用 SMD-1 封装。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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