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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHN7150
商品详情
-
ESD等级Class 3A
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最高 ID (@100°C)21 A
-
最高 ID (@25°C)34 A
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QG160 nC
-
QPL部件号2N7268U
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最高 RDS (on) (@25°C)65 mΩ
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最高 TID100 Krad(Si)
-
VBRDSS100 V
-
最高 VF1.4 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装SMD-1
-
极性N
-
生成R4
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸5
-
认证标准DLA
-
语言SPICE
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配置Discrete
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OPN
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| 产品状态 | |
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IRHN7150 抗辐射 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-1 封装，旨在为空间应用提供可靠的性能。这款 R4 MOSFET 的额定电压为 100V，电流处理能力为 34A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制应用中的功率损耗。它符合 COTS 标准，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。
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