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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNA53064 R5 抗辐射 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-2 封装，为空间应用提供高性能功率 MOSFET。该器件额定电压为 60V，电流处理能力为 75A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制应用中的功率损耗。它可提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能，并被 QIRL 归类为在太空任务中具有可靠性能。
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