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IRHNA53064

数据手册
封装

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IRHNA53064
IRHNA53064
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7468U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    5.6 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA53064 R5 抗辐射 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-2 封装，为空间应用提供高性能功率 MOSFET。该器件额定电压为 60V，电流处理能力为 75A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制应用中的功率损耗。它可提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能，并被 QIRL 归类为在太空任务中具有可靠性能。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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