IRHNA597260SCV
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IRHNA597260SCV

数据手册
封装

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IRHNA597260SCV
IRHNA597260SCV
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -22.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -35.5 A
  • QG
    180 nC
  • QPL部件号
    2N7549U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    102 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA597260SCV 是一款 R5、抗辐射、-200V、-35.5A、单 P 通道 MOSFET，采用 SMD-2 封装。它经过 QIRL 分类，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，从而最大程度地减少了功率损耗，并且可以处理高达 100krad(Si) TID 的电气性能，使其适用于空间应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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