IRHNA67164SCS

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IRHNA67164SCS
IRHNA67164SCS

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    49 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7581U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    18 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNA67164SCS R6 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、150V、49A MOSFET,具有 QIRL 分类和 SMD-2 封装。其电气性能高达 100krad(Si) TID,是空间应用的理想选择。由于具有低 RDS(on) 和栅极电荷,它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器,同时保留了 MOSFET 的电压控制、快速开关和温度稳定性的优势。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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