IRHNA67264SCS

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IRHNA67264SCS
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商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    31.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    50 A
  • QG
    220 nC
  • QPL部件号
    2N7585U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    40 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    QIRL

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNA67264SCS R6 MOSFET 是一款单抗辐射 N 沟道 MOSFET，电压为 200V，电流为 31.5A。QIRL 采用紧凑型 SMD-2 封装，专为空间应用而设计。电气性能高达100krad(Si) TID和LET高达90MeV·cm2/mg。低 RDS(on)、低栅极电荷和 MOSFET 优势可减少损耗并实现快速切换。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区