IRHNA93160SCSD
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IRHNA93160SCSD

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封装

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IRHNA93160SCSD
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -24 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -38 A
  • QG
    290 nC
  • QPL部件号
    2N7425U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    68 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -3.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA93160SCSD 是一款 R4、抗辐射、-100V、-38A、单 P 通道 MOSFET，采用 SMD-2 封装，位于 DBC 载体上。其电气性能高达 300krad(Si) TID 和 QIRL 分类，可靠地适用于空间应用。其低 RDS(on) 和低栅极电荷使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制。该设备提供电压控制、快速切换并且温度稳定。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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