IRHNJ57034SCSA

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IRHNJ57034SCSA
IRHNJ57034SCSA

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    21 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    45 nC
  • QPL Part Number
    2N7480U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    30 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJ57034SCSA 是一款 60V、22A 高性能功率 MOSFET,专为空间应用而设计。其特点是总剂量和单一事件效应 (SEE),并符合 QPL 资格。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷,该 R5 器件可降低卫星总线和有效载荷电源系统中开关应用中的功率损耗。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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