IRHNJ57230SESCS

数据手册

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IRHNJ57230SESCS
IRHNJ57230SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • ID (@100°C) max
    7.8 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    35 nC
  • QPL部件号
    2N7486U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
该 R5 器件是单 N 通道 MOSFET，专为具有抗辐射能力的空间应用而设计。IRHNJ57230SESCS 的最大电压为 200V，电流容量为 12A，同时具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可最大限度地减少开关应用中的功率损耗。该器件还保留了 MOSFET 的所有常见优点，并具有 QIRL 分类。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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