IRHNJ5S97130

数据手册

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IRHNJ5S97130
IRHNJ5S97130
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    -8 A
  • ID (@25°C) max
    -12.5 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    205 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -5 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    P
  • Generation
    R5
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNJ5S97130 是一款 R5、抗辐射、-100V、-12.5A、单 P 通道 MOSFET，采用 SMD-0.5 封装。其电气性能高达 100krad(Si) TID，并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

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