现货，推荐

IRHNJ63134

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ63134
IRHNJ63134
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    19 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7589U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    88 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ63134 R6 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射单个器件，额定电压为 150V，额定电流为 19A，采用 SMD-0.5 封装。它具有 COTS 分类，可承受高达 300krad(Si) TID 的电气性能。它对 SEE 和 LET 的抗干扰能力提高到 90MeV·cm2/mg，非常适合高速开关应用。低 RDS(on) 和快速开关时间可降低功率损耗并提高功率密度。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }