IRHNJ63234
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IRHNJ63234

数据手册
封装

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IRHNJ63234
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    7.8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7593U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    210 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 N 沟道 R6 MOSFET 专为空间应用而设计，具有更高的抗单粒子效应 (SEE) 能力。IRHNJ63234 具有 250V、12.4A 电流容量以及高达 300krad(Si) TID 电气性能，是空间应用的理想选择。其低 RDS(on) 和更快的开关时间相结合，降低了功率损耗并提高了高速应用中的功率密度。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区