IRHNJ63234
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IRHNJ63234

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IRHNJ63234
IRHNJ63234
  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    7.8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7593U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    210 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 N 沟道 R6 MOSFET 专为空间应用而设计,具有更高的抗单粒子效应 (SEE) 能力。IRHNJ63234 具有 250V、12.4A 电流容量以及高达 300krad(Si) TID 电气性能,是空间应用的理想选择。其低 RDS(on) 和更快的开关时间相结合,降低了功率损耗并提高了高速应用中的功率密度。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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