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IRHNJ67130

数据手册
封装

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IRHNJ67130
IRHNJ67130
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7587U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHNJ67130-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f48da911fe
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
该 R6 MOSFET 是一种抗辐射器件，具有 100V 和 22A 容量，具有低 RDS(on) 和快速开关时间。IRHNJ67130 的电气性能高达 100krad(Si) TID，并且是一种 COTS 设备。它对单粒子效应 (SEE) 和高达 90MeV·cm2/mg 的 LET 具有更高的免疫力，使其成为太空中高速切换应用的可靠选择。

应用

文档

文档

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