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IRHNJ67130SCS
商品详情
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ESD等级Class 2
-
ID (@100°C) max19 A
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ID (@25°C) max22 A
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QG50 nC
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QPL部件号2N7587U3
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RDS (on) (@25°C) max42 mΩ
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS min100 V
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VF max1.2 V
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产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
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封装SMD-0.5
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极性N
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这款 R6 N 沟道 MOSFET 是采用抗辐射、100V、3.4A SMD-0.5 封装的单个 MOSFET。IRHNJ67130SCS 具有高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类的电气性能。凭借其低 RDS(on) 和快速开关时间，它可以最大限度地提高高速应用中的功率密度。非常适合计算应用。