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IRHNJ67134

数据手册
封装

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IRHNJ67134
IRHNJ67134
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    19 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7589U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    88 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款 R6 MOSFET 是采用 SMD-0.5 封装的抗辐射高性能设备。IRHNJ67134 具有 150V、19A 的容量，对 SEE 和 LET 的抗扰度高达 90MeV·cm2/mg，电气性能高达 100krad(Si) TID，并且符合 COTS 标准，带有引线连接和成型。它非常适合空间应用中的高速切换，具有低 RDS(on) 和更快的切换时间，可降低功率损耗并提高功率密度。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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