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IRHNJ67134SCS
商品详情
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ESD等级Class 2
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ID (@100°C) max12 A
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ID (@25°C) max19 A
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QG50 nC
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QPL部件号2N7589U3
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RDS (on) (@25°C) max88 mΩ
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS min150 V
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VF max1.2 V
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产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
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封装SMD-0.5
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极性N
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SMD-0.5 封装中的抗辐射 N 沟道 MOSFET 非常适合空间应用。IRHNJ67134SCS MOSFET 具有非常低的 RDS(on)、更快的开关时间以及更强的 SEE 抗扰度，可提供高性能和功率密度，使其成为高速开关应用的理想选择。该单 N 通道 R6 MOSFET 可处理高达 150V 和 19A 的电流。