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IRHNJ6S7230SCS
商品详情
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抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJ6S7230SCS 是一款专为空间应用而设计的单一设备，具有高达 90MeV·cm2/mg 的抗 SEE 和 LET 能力。它的额定电压为 600V，可处理高达 3.4A 的电流，采用 SMD-0.5 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID。此 R6 MOSFET 提供更快的开关时间和非常低的 RDS(on)，可在高速开关应用中实现高效电源使用。